山東聊城大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)在LED用發(fā)光材料研究方面
來(lái)源：司令 發(fā)布日期
2024-04-09 瀏覽：
LED用發(fā)光材料的光譜和熱穩(wěn)定性決定了白光LED器件的色溫、顯色指數(shù)和穩(wěn)定性。隨著人們生活水平的提高，對(duì)高質(zhì)量照明和顯示用LED器件提出了更高的性能要求，而高性能發(fā)光材料的研發(fā)成為其中的關(guān)鍵所在。
近日，聊城大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院新型發(fā)光材料團(tuán)隊(duì)在Chemical Engineering Journal（中科院1區(qū)、TOP期刊，2023年最新影響因子為15.1 ）發(fā)表了題為Defect regulation of a distinctive synthetic Eu2+-doped SiAlON S-phase towards controllable spectra and thermal quenching for white-light-emitting diode的學(xué)術(shù)研究論文。
本文成功在SiAlON家族的BaAlSi5O2N7材料中實(shí)現(xiàn)了對(duì)晶格氧空位的有效調(diào)控，從而有效調(diào)控了材料的發(fā)射光譜和熱穩(wěn)定性，最終獲得了一種具有優(yōu)異熱穩(wěn)定性的寬帶黃色發(fā)光材料。
晶格中的氧空位缺陷在能帶中形成的缺陷能級(jí)一般位于導(dǎo)帶底附近，可能會(huì)起到明顯的電子陷阱作用。這種電子陷阱可以捕獲發(fā)光中心被激發(fā)后的電子，隨著溫度的升高，被捕獲的電子在聲子的作用下返回發(fā)光中心的激發(fā)態(tài)能級(jí)，彌補(bǔ)材料由于熱猝滅現(xiàn)象引起的強(qiáng)度損失。
同時(shí)，氧空位在部分材料中可以作為發(fā)光中心，其發(fā)光能量約為2.5 eV。因此，對(duì)晶格中氧空位的有效調(diào)控不僅能夠有效提高材料的熱穩(wěn)定性，也可以對(duì)材料的發(fā)射光譜起到調(diào)控的作用。
本文通過(guò)設(shè)計(jì)原料中AlN和Si3N4的比例，成功通過(guò)高溫固相法制備了具有大量本征氧空位的BaAlSi5O2N7：Eu2+發(fā)光材料。并通過(guò)調(diào)控AlN和Si3N4的比例，制備了一系列相同結(jié)構(gòu)的固溶體發(fā)光材料BaAl1+ySi5-yO2-y/2N7：Eu2+發(fā)光材料。
結(jié)果表明，隨著晶格中Al/N比的逐漸增大，BaAl1Si5O2N7：Eu2+晶格中的氧空位缺陷逐漸減少，使得材料的發(fā)射光譜整體向長(zhǎng)波長(zhǎng)方向進(jìn)行展寬的同時(shí)，其在200℃的發(fā)光強(qiáng)度由室溫強(qiáng)度的130%調(diào)控至100%左右。
本研究探索的缺陷調(diào)控方法為L(zhǎng)ED發(fā)光材料的性能調(diào)控提供了有效的參考，有助于高性能發(fā)光材料的研發(fā)工作。
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